Intel révolutionne le transistor MOS avec le 3D Tri-Gate


Par la voix de son P-DG, Paul Otellini, Intel vient de dévoiler son tout nouveau transistor MOS gravé dans une technologie 22nm. Il s’agit du 3D Tri-Gate. Le transistor voit sa partie active, là où se forme le canal de conduction, encastrée dans la grille. Il est donc mieux contrôlé par la tension appliquée entre la grille et la source. Il peut ainsi fonctionner à une fréquence plus élevée, consomme moins de courant de fuite lorsqu’il est ouvert et peut fonctionner sous une tension d’alimentation plus faible. Il peut être beaucoup plus intégré qu’un transistor MOS planar classique.
Il sera utilisé dans le microprocesseur Ivy Bridge dont la production devrait commencer fin 2011. Il constituera sans doute l’arme absolue d’Intel sur le front des CPU orientés mobilité.

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